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    芯元基實現0.39英寸單色Micro LED顯示屏視頻顯示

    1月10日,上海芯元基宣布在Micro LED微顯示屏方面又取得新突破,成功攻克了像素間距 7.5μm芯片陣列鍵合工藝,實現了0.39英寸    單色Micro LED微顯示屏視頻顯示。

    據介紹,本次制作出的顯示模組,像素間距為7.5μm、分辨率為1024*768、顯示面積為0.39英寸,CMOS驅動芯片由北京數字光芯集成電路設計有限公司提供,模組光電參數和顯示效果佳。

    資料顯示,芯元基成立于2014年,是一家基于第三代半導體氮化鎵(GaN)材料自主研發、設計、生產藍寶石基GaN高端薄膜結構芯片、Mini/Micro LED芯片的公司,產品主要應用于工業固化、AR/VR、智能手表、電視、戶外顯示和特殊照明等領域。

    據悉,芯元基在2021年10月份正式進入Micro LED領域,2022年1月份,先后研發出了16*27微米直顯用薄膜倒裝Micro LED芯片以及適合微顯示的pitch 8μm Micro LED芯片陣列。

    2022年7月27日,芯元基突破像素pitch小于4μm的關鍵工藝,成功點亮0.12 inch 、pitch 3.75μm的適合AR眼鏡顯示用的Micro LED芯片陣列。
    同年8月29日,芯元基成功點亮InGaN基紅光適合微顯示的pitch 8μm Micro LED芯片陣列。至此,芯元基完成微顯示芯片全彩化方案所需的GRB三種單色光源,且全部是基于InGaN的材料體系。

    同年10月13日,芯元基利用現有OLED驅動技術,成功實現了0.41 inch 單色Micro LED微顯示屏視頻顯示。

    值得一提的是,芯元基在不斷突破Micro LED微顯示技術的同時,還加速第三代半導體氮化鎵項目的建設。

     2020年11月20日,芯元基第三代半導體氮化鎵項目簽約安徽池州高新區起,項目規劃用地約100畝,分兩期建設。其中,一期投資2億元,打造一條GaN基DPSS襯底生產線,一條UVA 365nm芯片生產線,并建設配套設施等;二期投資4億元,建設行政、生產一體化廠房及配套。

    憑借在Micro LED等領域的優勢,芯元基備獲資本青睞。目前,芯元基已獲中微半導體、上海創徒、張江科投、張江高科、浦東科創、上海自貿區基金等逾億元投資。(LEDinside Mia整理)

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