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日前，福建省發展和改革委員會印發2023年度省重點項目名單，2023年度省重點項目1580個，總投資4.09萬億元，年度計劃投資6480億元。
省在建重點項目中，包括廈門士蘭12英寸特色工藝半導體芯片制造生產線建設項目、南安三安半導體研發與產業化項目、廈門海滄區士蘭明鎵SiC功率器件生產線建設項目、上杭晶旭半導體2英寸化合物半導體芯片生產項目等第三代半導體項目。
廈門士蘭12英寸特色工藝半導體芯片制造生產線建設項目
據消息，項目預計投資170億元，在廈門海滄建設兩條 12 英寸特色工藝芯片生產線。
總建筑面積約 25 萬平方米，總投資 70 億元，分二期建成。項目一期建成達產后年銷售額將超過 10 億元。二期項目建成后，預計年生產總值可達 40 億 -50 億元。
圖片來源：拍信網正版圖庫
南安三安半導體研發與產業化項目
據此前披露消息，項目總投資約333億（含公共配套設施投資），全部項目計劃五年內實現投產、七年內達產，經營期限不少于25年，達產后將實現年銷售收入270億元。
項目具體包括七大產業化項目：高端氮化鎵 LED襯底、外延、芯片的研發與制造產業化項目；高端砷化鎵 LED 外延、芯片的研發與制造產業化項目；大功率氮化鎵激光器的研發與制造產業化項目；光通訊器件的研發與制造產業化項目；射頻、濾波器的研發與制造產業化項目；功率型半導體（電力電子）的研發與制造產業化項目；特種襯底材料研發與制造、特種封裝產品應用研發與制造產業化項目。項目在2022年就入選了泉州市重點項目。
廈門海滄區士蘭明鎵SiC功率器件生產線建設項目
士蘭明鎵于2022年7月啟動化合物半導體第二期建設項目，即“SiC功率器件生產線建設項目”。項目計劃投資15億元，建設一條6英寸SiC功率器件芯片生產線，最終形成年產14.4萬片6英寸SiC功率器件芯片的產能，其中SiC-MOSFET芯片12萬片/年、SiC-SBD芯片2.4萬片/年。（文：化合物半導體市場 Doris整理）
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