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    深圳龍崗擬建國家第三代半導體技術創新中心

    1月29日,深圳市龍崗區平湖街道掛牌一宗普通工業用地,宗地號為G05701-0090,土地總面積為86714.75平方米,建筑面積為105000平方米。本宗地的掛牌起始價2920萬元,土地使用年限為30年,將于2月27日正式出讓。

    本宗地土地用途為普通工業用地,宗地產業準入行業為C3972半導體分立器件制造,宗地位于平湖街道新廈大道33號,將用于建設國家第三代半導體技術創新中心深圳綜合平臺。

    根據出讓合同,宗地規定的10.50萬平的建筑面積,其中食堂1萬平及廠房9.5萬均不得轉讓,宗地須自《出讓合同》簽訂之日起1.5年內開工,4年內竣工。

    近年來,第三代半導體已經成為行業的重點研究方向之一,可廣泛應用于新能源汽車、軌道交通、智能電網、半導體照明、新一代移動通信、消費類電子等領域,是支撐新能源、交通、信息、國防等產業發展的核心技術。

    加快我國第三代半導體相關產業和技術發展,培育具有自主知識產權的第三代半導體產業鏈,突破國外對我國半導體技術的封鎖,自主供應市場需求,是支撐國家重大戰略需求、重塑全球產業技術格局的重大選擇。

    深圳龍崗擬建國家第三代半導體技術創新中心

    圖片來源:拍信網正版圖庫

    龍崗加快培育第三代半導體產業建設

    深圳市作為中國集成電路及分立器件最大的應用市場區域,第三代半導體產業發展已久,已聚集眾多研究機構、產業鏈企業,已有人才團隊、技術的積累,深圳市一直重視、推動珠三角地區第三代半導體產業的發展,具有第三代半導體產業發展的沃土。

    2021年深圳“十四五”規劃曾指出,要重點開展高端電子化學品、第三代半導體材料、功能性有機發光材料等關鍵材料設計與制備工藝攻關。

    2022年,《深圳市培育發展半導體與集成電路產業集群行動計劃(2022-2025年)》提出,需加快完善集成電路設計、制造、封測等產業鏈,推進12英寸芯片生產線、第三代半導體等重點項目建設。

    而深圳龍崗區是推進一系列硅基集成電路重大項目落地,布局前端研發到芯片制造的產業鏈條的重要區域之一。據悉,深圳“國字號”創新平臺——國家第三代半導體技術創新中心深圳綜合平臺建設項目今年開工。項目總投資33.5億元,計劃2025年建成。

    根據此前的公示信息,項目將聯合本土設計力量精準服務產業需求,為研發機構及企業提供良好的共享研發試驗平臺,突破第三代半導體核心材料、芯片、裝備及應用技術,形成全鏈條全體系持續創新供給和配套能力,助力企業的研發及技術進步,提升第三代半導體總體技術水平。

    項目建設面向全球的第三代半導體公共、開放、共享集成創新平臺和國際領先的中試平臺,吸引頂尖人才,攻克技術難關,產出重大科技成果,構建自主可控生態,塑造全球第三代半導體產業格局。(來源:全球半導體觀察)

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